5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, | 针数： | 60 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.32 | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 | 长度： | 9.5 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 60 |
| 字数： | 268435456 words | 字数代码： | 256000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 95 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256MX4 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 7.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T1G044QE-HCLF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G044QE-HLE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4T1G044QF | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G044QF-BCE6 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G044QF-BCE7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G044QF-BCE70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4T1G044QF-BCF7 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T1G044QF-BCF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4T1G044QM | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification |
|
| K4T1G044QM-ZCCC | SAMSUNG |
获取价格 |
1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
