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K4S561632D-NC75

更新时间： 2024-01-07 02:41:24

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	46K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54

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K4S561632D-NC75 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	SOP, TSSOP54,.46,16
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.75	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	TSSOP54,.46,16	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.4 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

K4S561632D-NC75 数据手册

K4S561632D

CMOS SDRAM

4M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

• JEDEC standard 3.3V power supply

• LVTTL compatible with multiplexed address

• Four banks operation

The K4S561632D is 268,435,456 bits synchronous high data rate

Dynamic RAM organized as 4 x 4,196,304 words by 16 bits, fabri-

cated with SAMSUNG's high performance CMOS technology. Syn-

chronous design allows precise cycle control with the use of

system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.

Range of operating frequencies, programmable burst length and

programmable latencies allow the same device to be useful for a

variety of high bandwidth, high performance memory system appli-

cations.

• MRS cycle with address key programs

-. CAS latency (2 & 3)

-. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)

-. Burst type (Sequential & Interleave)

• All inputs are sampled at the positive going edge of the system

clock.

• Burst read single-bit write operation

• DQM for masking

ORDERING INFORMATION

Part No.

Max Freq.

Interface Package

• Auto & self refresh

K4S561632D-NC/L60

K4S561632D-NC/L7C

K4S561632D-NC/L75

K4S561632D-NC/L1H

K4S561632D-NC/L1L

166MHz(CL=3)

133MHz(CL=2)

133MHz(CL=3)

100MHz(CL=2)

100MHz(CL=3)

• 64ms refresh period (8K Cycle)

54pin

LVTTL

sTSOP(II)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

LWE

Data Input Register

LDQM

Bank Select

4M x 16

DQi

CLK

ADD

Column Decoder

Latency & Burst Length

LCKE

Programming Register

LWCBR

LRAS

LCBR

LWE

LCAS

LDQM

Timing Register

CLK

CKE

RAS

CAS

L(U)DQM

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 0.1 Aug. 2002

1 234 5 6 7...9

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