5秒后页面跳转
K4S561632C-TE7C PDF预览

K4S561632C-TE7C

更新时间: 2024-11-12 07:45:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 114K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

K4S561632C-TE7C 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.16
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:16MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

K4S561632C-TE7C 数据手册

 浏览型号K4S561632C-TE7C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4S561632C-TE7C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4S561632C-TE7C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4S561632C-TE7C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4S561632C-TE7C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4S561632C-TE7C的Datasheet PDF文件第7页 
K4S561632C  
CMOS SDRAM  
256Mbit SDRAM  
(Extended Temp Support)  
4M x 16bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
LVTTL  
Revision 0.1  
Sept. 2001  
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Rev.0.1 Sept.2001  

与K4S561632C-TE7C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4S561632C-TI60 SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S561632C-TL1L SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S561632C-TN1H SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S561632C-TN60 SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S561632C-TN75 SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S561632C-TN7C SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S561632C-TP75 SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S561632C-TP7C SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
K4S561632D SAMSUNG

获取价格

256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4S561632D-NC1H SAMSUNG

获取价格

Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54