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K4S561632C-TI60

更新时间: 2024-11-11 14:51:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 134K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

K4S561632C-TI60 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.69
Is Samacsys:N访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G54长度:22.22 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:16MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

K4S561632C-TI60 数据手册

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K4S561632C  
CMOS SDRAM  
256Mbit SDRAM  
(Industrial Temp Support)  
4M x 16bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
LVTTL  
Revision 0.1  
Sept. 2001  
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Rev.0.1 Sept. 2001  

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