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K4H560838F-TCC4

更新时间： 2024-11-05 21:54:35

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
19页	172K
描述
256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification

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K4H560838F-TCC4 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	端子数量：	66
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	电源：	2.6 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.35 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL

DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)

DDR SDRAM

256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification

Revision 1.1

Rev. 1.1 August. 2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H560838F-TCC40	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H560838F-TCCC	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
K4H560838F-TCCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H560838F-TLA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H560838F-TLB0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H560838F-TLB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H560838F-TLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66
K4H560838F-TLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H560838F-UC	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
K4H560838F-UC/LA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR SDRAM Specification