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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, | 针数： | 66 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 | 风险等级： | 5.11 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.65 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PDSO-G66 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 66 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.6 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4H560838F-TCCC | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification |
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| K4H560838F-TCCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
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| K4H560838F-TLA20 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
|
| K4H560838F-TLB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66 |
|
| K4H560838F-TLB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
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| K4H560838F-TLB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66 |
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| K4H560838F-TLCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
|
| K4H560838F-UC | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification |
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| K4H560838F-UC/LA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb F-die DDR SDRAM Specification |
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| K4H560838F-UC/LAA | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb F-die DDR SDRAM Specification |
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