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K4H560838F-TCC40

更新时间: 2024-11-06 14:51:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 171K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

K4H560838F-TCC40 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:66
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.11
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.65 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G66
JESD-609代码:e0长度:22.22 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:66
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.6 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

K4H560838F-TCC40 数据手册

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DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)  
DDR SDRAM  
256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification  
Revision 1.1  
Rev. 1.1 August. 2003  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
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