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K4H560838F-TLB00

更新时间： 2024-11-07 08:07:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	366K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

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K4H560838F-TLB00 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46	针数：	66
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.13
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.25 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K4H560838F-TLB00 数据手册

DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)

DDR SDRAM

256Mb F-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

3. Any system or application incorporating Samsung Memory Product(s) shall be designed to use or access the

memory addresses in a balanced and proportionate manner. Disproportionate, excessive and/or repeated

access to a particular address may result in reduction of product life.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.4 July. 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H560838F-TLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66
K4H560838F-TLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H560838F-UC	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR400 SDRAM Specification
K4H560838F-UC/LA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR SDRAM Specification
K4H560838F-UC/LAA	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR SDRAM Specification
K4H560838F-UC/LB0	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR SDRAM Specification
K4H560838F-UC/LB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb F-die DDR SDRAM Specification
K4H560838F-UCA2	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H560838F-UCA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H560838F-UCAA	SAMSUNG	获取价格	暂无描述

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