是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, | 针数: | 66 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.28 | 风险等级: | 5.83 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.65 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 |
长度: | 22.22 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 66 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
组织: | 32MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4H510838F-LLCC0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 | |
K4H510838F-LLCCT | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66 | |
K4H510838G | SAMSUNG |
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Consumer Memory | |
K4H510838G-HCB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, | |
K4H510838G-HCCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA60, | |
K4H510838G-HLB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60 | |
K4H510838G-LC/LB3 | SAMSUNG |
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512Mb G-die DDR SDRAM Specification | |
K4H510838G-LC/LCC | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb G-die DDR SDRAM Specification | |
K4H510838G-LCB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, | |
K4H510838G-LCC00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.55ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |