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K4H510838G-HCB3

更新时间： 2024-11-15 19:43:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	358K
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DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60,

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K4H510838G-HCB3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e1	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4H510838G-HCB3 数据手册

K4H510438G

K4H510838G

K4H511638G

DDR SDRAM

512Mb G-die DDR SDRAM Specification

60 FBGA

with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

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defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.0 October 2009

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K4H510838G-LCC00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.55ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
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