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K4H510438D-UCB0T

更新时间： 2024-02-04 06:46:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	369K
描述
Cache DRAM Module, 128MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66

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K4H510438D-UCB0T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.56
最长访问时间：	0.75 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e3
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	CACHE DRAM MODULE
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	1
端子数量：	66	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.325 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H510438D-UCB0T 数据手册

K4H510438D

K4H510838D

K4H511638D

DDR SDRAM

512Mb D-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.2 January 2006

12 3 4 5 6 7...24

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K4H510438D-ULA2T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 128MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H510438D-ULB0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H510438D-ULB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
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