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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TBGA, |
| 针数： | 60 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.28 |
| 风险等级： | 5.28 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.7 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 12 mm | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 60 |
| 字数： | 134217728 words | 字数代码： | 128000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128MX4 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4H510438D-ZLCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
|
| K4H510438E-TCA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| K4H510438E-TCA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| K4H510438E-TCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| K4H510438E-TLA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| K4H510438E-TLA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| K4H510438E-TLB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| K4H510438F | SAMSUNG |
获取价格 |
Consumer Memory |
|
| K4H510438F-HCB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, |
|
| K4H510438F-HCB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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