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K4H510438F-LCB3

更新时间： 2024-09-25 09:06:15

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率光电二极管
页数	文件大小	规格书
24页	361K
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DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66

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K4H510438F-LCB3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.28
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
长度：	22.22 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	128MX4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4H510438F-LCB3 数据手册

K4H510438F

K4H510838F

K4H511638F

DDR SDRAM

512Mb F-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II

with Lead-Free and Halogen-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 November 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4H510438F-LLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66
K4H510438F-LLB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4H510438G	SAMSUNG	获取价格	Consumer Memory
K4H510438G-HCB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60,
K4H510438G-HCB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60,
K4H510438G-HCCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60,
K4H510438G-HLB3	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60
K4H510438G-HLB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60
K4H510438G-LC/LB0	SAMSUNG	获取价格	512Mb G-die DDR SDRAM Specification

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