是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.56 | 最长访问时间: | 0.7 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 |
JESD-609代码: | e1 | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 4 |
湿度敏感等级: | 3 | 端子数量: | 60 |
字数: | 134217728 words | 字数代码: | 128000000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA60,9X12,40/32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 连续突发长度: | 2,4,8 |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.36 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4H510438D-ZCCC0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 128MX4, 0.65ns, CMOS, PDSO60, ROHS COMPLIANT, TSOP2-60 | |
K4H510438D-ZLB30 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4H510438D-ZLCC0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 128MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4H510438E-TCA0 | SAMSUNG |
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128Mb DDR SDRAM | |
K4H510438E-TCA2 | SAMSUNG |
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128Mb DDR SDRAM | |
K4H510438E-TCB0 | SAMSUNG |
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128Mb DDR SDRAM | |
K4H510438E-TLA0 | SAMSUNG |
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128Mb DDR SDRAM | |
K4H510438E-TLA2 | SAMSUNG |
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128Mb DDR SDRAM | |
K4H510438E-TLB0 | SAMSUNG |
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128Mb DDR SDRAM | |
K4H510438F | SAMSUNG |
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Consumer Memory |