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K4H1G0438M-TCB0

更新时间： 2024-11-11 22:47:47

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
53页	669K
描述
128Mb DDR SDRAM

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K4H1G0438M-TCB0 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.75 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
端子数量：	66	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.006 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.35 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

128Mb DDR SDRAM

DDR SDRAM Specification

Version 1.0

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REV. 1.0 November. 2. 2000

12 3 4 5 6 7...53

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H1G0438M-TCB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H1G0438M-TCB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H1G0438M-TCB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66
K4H1G0438M-TLA0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H1G0438M-TLA2	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H1G0438M-TLA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H1G0438M-TLA2T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4H1G0438M-TLB0	SAMSUNG	获取价格	128Mb DDR SDRAM
K4H1G0438M-TLB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H1G0438M-TLB0T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述