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K4E640812E-JP500

更新时间： 2024-01-30 15:46:15

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	193K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32,

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技术参数
数据手册

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K4E640812E-JP500 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOJ, SOJ32,.44	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	最长访问时间：	50 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ32,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K4E640812E-JP500 数据手册

Industrial Temperature

K4E660812E,K4E640812E

CMOS DRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Voltage on any pin relative to VSS

Voltage on VCC supply relative to V SS

Storage Temperature

Symbol

VIN, VOUT

VCC

Rating

-0.5 to +4.6

-55 to +150

Units

Tstg

°C

Power Dissipation

Short Circuit Output Current

IOS Address

* Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded. Functional operation should be restricted to

the conditions as detailed in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended

periods may affect device reliability.

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (Voltage referenced to Vss, TA= -40 to 85°C)

Parameter

Supply Voltage

Symbol

VCC

VSS

Min

3.0

Typ

Max

3.6

Units

3.3

Ground

Input High Voltage

Input Low Voltage

VIH

2.0

Vcc+0.3

0.8

VIL

-0.3

*1 : Vcc+1.3V at pulse width£15ns which is measured at VCC

*2 : -1.3 at pulse width£15ns which is measured at V SS

DC AND OPERATING CHARACTERISTICS (Recommended operating conditions unless otherwise noted.)

Parameter

Symbol

Min

Max

Units

Input Leakage Current (Any input 0£VIN£VCC+0.3V,

all other pins not under test=0 Volt)

II(L)

-5

Output Leakage Current

(Data out is disabled, 0V£VOUT£VCC)

IO(L)

-5

Output High Voltage Level(IOH=-2mA)

Output Low Voltage Level(IOL=2mA)

VOH

VOL

2.4

0.4

1 234 5 6 7...21

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