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K4E640812E-JP500

更新时间： 2024-02-06 09:39:15

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	193K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32,

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K4E640812E-JP500 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOJ, SOJ32,.44	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	最长访问时间：	50 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ32,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K4E640812E-JP500 数据手册

Industrial Temperature

K4E660812E,K4E640812E

CMOS DRAM

PIN CONFIGURATION (Top Views)

• K4E660812E-T

• K4E640812E-T

• K4E660812E-J

• K4E640812E-J

VCC

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

N.C

VCC

VSS

VCC

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

N.C

VCC

RAS

VSS

31 DQ7

30 DQ6

29 DQ5

28 DQ4

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

VSS

CAS

A12(N.C)*

A11

A10

VSS

26 CAS

25 OE

24 A12(N.C)*

23 A11

22 A10

21 A9

20 A8

19 A7

18 A6

RAS

A0 10

A1 11

A2 12

A3 13

A4 14

A5 15

VSS

VCC

VSS

(J : 400mil SOJ)

(T : 400mil TSOP(II))

* (N.C) : N.C for 4K Refresh product

Pin Name

A0 - A12

A0 - A11

DQ0 - 7

VSS

Pin Function

Address Inputs(8K Product)

Address Inputs(4K Product)

Data In/Out

Ground

RAS

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Read/Write Input

Data Output Enable

Power(+3.3V)

CAS

VCC

N.C

No Connection

123 4 5 6 7...21

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