Datasheet > 存储 > DRAM> K4E641611D-TC60

K4E641611D-TC60

更新时间： 2024-02-27 12:17:06

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
36页	884K
描述
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4E641611D-TC60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP, TSOP50,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	60 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
JESD-609代码：	e0	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	50	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.11 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K4E641611D-TC60 数据手册

K4E661611D,K4E641611D

CMOS DRAM

4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION

This is a family of 4,194,304 x 16 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random

access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-50 or -60) are optional features of this

family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. This 4Mx16 EDO Mode DRAM

family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power consumption and high reliability.

FEATURES

• Extended Data Out Mode operation

• Part Identification

• 2 CAS Byte/Word Read/Write operation

- K4E661611D-TC(5.0V, 8K Ref.)

- K4E641611D-TC(5.0V, 4K Ref.)

• CAS-before-RAS refresh capability

• RAS-only and Hidden refresh capability

• Fast parallel test mode capability

• TTL(5.0V) compatible inputs and outputs

• Early Write or output enable controlled write

• JEDEC Standard pinout

• ActivePowerDissipation

Unit : mW

• Available in Plastic TSOP(II) package

• +5.0V±10% power supply

Speed

-50

495

440

660

-60

605

• Refresh Cycles

Part

NO.

Refresh

cycle

Refresh time

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Normal

K4E661611D*

K4E641611D

64ms

RAS

UCAS

LCAS

Vcc

Vss

Control

Clocks

VBB Generator

* Access mode & RAS only refresh mode

: 8K cycle/64ms

Lower

Data in

Buffer

CAS-before-RAS & Hidden refresh mode

: 4K cycle/64ms

DQ0

DQ7

Row Decoder

Refresh Timer

Lower

Data out

Buffer

Refresh Control

Memory Array

• Performance Range

4,194,304 x 16

Cells

Refresh Counter

Row Address Buffer

Col. Address Buffer

Upper

Data in

Buffer

Speed

tRAC

50ns

60ns

tCAC

13ns

15ns

tRC

tHPC

20ns

25ns

A0~A12

(A0~A11)*1

DQ8

DQ15

-50

-60

84ns

104ns

Upper

Data out

Buffer

A0~A8

(A0~A9)*1

Column Decoder

Note) *1 : 4K Refresh

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to

change products and specifications without notice.

12 3 4 5 6 7...36

中文翻译

下载PDF

与K4E641611D-TC60相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K4E641611D-TC600	SAMSUNG	暂无描述	获取价格
K4E641612B	SAMSUNG	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out	获取价格
K4E641612B-L	SAMSUNG	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out	获取价格
K4E641612B-TC	SAMSUNG	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out	获取价格
K4E641612B-TC45	SAMSUNG	EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50	获取价格
K4E641612B-TC450	SAMSUNG	EDO DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50	获取价格

与K4E641611D-TC60相关文章

深入解析CS8416引脚说明、参数、技术特点
2024-06-03

2
TPA3116D2功放芯片参数详解、引脚说明
2024-06-03

6
移位寄存器74HC165引脚说明、驱动程序示例解读
2024-06-03

6
深入解析AD9833：DDS频率合成器的卓越性能与广泛应用
2024-06-03

4

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4E641611D-TC60

K4E641611D-TC60 技术参数

K4E641611D-TC60 数据手册

与K4E641611D-TC60相关器件

与K4E641611D-TC60相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4E641611D-TC60

K4E641611D-TC60 技术参数

K4E641611D-TC60 数据手册

与K4E641611D-TC60相关器件

与K4E641611D-TC60相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？