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K4E641612B-TC50T0

更新时间: 2024-02-15 12:48:32
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
37页 1515K
描述
EDO DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50

K4E641612B-TC50T0 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP50,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:50 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G50
JESD-609代码:e0内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
端子数量:50字数:4194304 words
字数代码:4000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP50,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096自我刷新:NO
最大待机电流:0.0005 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.12 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

K4E641612B-TC50T0 数据手册

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