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K4E640812E-JP500

更新时间： 2024-01-25 20:02:04

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	193K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32,

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K4E640812E-JP500 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOJ, SOJ32,.44	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	最长访问时间：	50 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ32,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K4E640812E-JP500 数据手册

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Industrial Temperature

K4E660812E,K4E640812E

CMOS DRAM

PACKAGE DIMENSION

32 SOJ 400mil

Units : Inches (millimeters)

#32

0.006 (0.15)

0.012 (0.30)

0.027 (0.69)

MIN

0.841 (21.36)

MAX

0.820 (20.84)

0.830 (21.08)

0.0375 (0.95)

0.050 (1.27)

0.026 (0.66)

0.032 (0.81)

0.015 (0.38)

0.021 (0.53)

32 TSOP(II) 400mil

Units : Inches (millimeters)

0.004 (0.10)

0.010 (0.25)

0.841 (21.35)

MAX

0.821 (20.85)

0.829 (21.05)

0.047 (1.20)

MAX

0.010 (0.25)

TYP

0.002 (0.05)

0.037 (0.95)

0.050 (1.27)

MIN

0.012 (0.30)

0.020 (0.50)

0~8

0.018 (0.45)

0.030 (0.75)

1...18 19 2021

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