5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > DRAM> K4E160412D-B6000
K4E160412D-B6000 PDF预览

K4E160412D-B6000

更新时间： 2024-11-25 09:53:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 256K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24

阅读下载

中文翻译

获取价格

K4E160412D-B6000 技术参数

生命周期：Active包装说明：SOJ,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.73访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-J24长度：17.15 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
座面最大高度：3.76 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

K4E160412D-B6000 数据手册

 浏览型号K4E160412D-B6000的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4E160412D-B6000的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4E160412D-B6000的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4E160412D-B6000的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4E160412D-B6000的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4E160412D-B6000的Datasheet PDF文件第7页 
K4E170411D, K4E160411D  
K4E170412D, K4E160412D  
CMOS DRAM  
4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out  
DESCRIPTION  
This is a family of 4.194,304 x 4 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of  
memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (2K Ref. or 4K  
Ref.), access time (-50 or -60), power consumption(Normal or Low power) and package type(SOJ or TSOP-II) are optional features of  
this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh  
operation is available in L-version. This 4Mx4 EDO DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high  
band-width, low power consumption and high reliability. It may be used as main memory unit for high level computer, microcomputer and  
personal computer.  
FEATURES  
• Part Identification  
• Extended Data Out Mode operation  
(Fast Page Mode with Extended Data Out)  
• CAS-before-RAS refresh capability  
- K4E170411D-B(F) (5V, 4K Ref.)  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
- K4E160411D-B(F) (5V, 2K Ref.)  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
- K4E170412D-B(F) (3.3V, 4K Ref.)  
- K4E160412D-B(F) (3.3V, 2K Ref.)  
• Fast parallel test mode capability  
• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
• ActivePowerDissipation  
Unit : mW  
5V  
• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages  
• Single +5V±10% power supply (5V product)  
• Single +3.3V±0.3V power supply (3.3V product)  
3.3V  
Speed  
4K  
324  
288  
2K  
4K  
2K  
-50  
-60  
396  
360  
495  
440  
605  
550  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
• Refresh Cycles  
Part  
Refresh Refresh period  
RAS  
CAS  
W
Vcc  
Vss  
VCC  
Control  
Clocks  
NO.  
cycle  
Normal L-ver  
VBB Generator  
K4E170411D  
5V  
4K  
64ms  
128ms  
32ms  
Data in  
K4E170412D 3.3V  
K4E160411D 5V  
Buffer  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
Refresh Counter  
2K  
K4E160412D 3.3V  
DQ0  
to  
DQ3  
Memory Array  
4,194,304 x4  
Cells  
• Performance Range  
A0-A11  
(A0 - A10)*1  
A0 - A9  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Speed  
-50  
Remark  
20ns 5V/3.3V  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
15ns  
tRC  
tHPC  
Data out  
Buffer  
Column Decoder  
OE  
(A0 - A10)*1  
84ns  
-60  
17ns 104ns 25ns 5V/3.3V  
Note) *1 : 2K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...21

中文翻译

下载PDF

与K4E160412D-B6000相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4E160412D-BL50 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
K4E160412D-BL60 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
K4E160412D-F SAMSUNG

获取价格

 		DRAM
K4E160412D-F6000 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24
K4E160412D-FL60 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
K4E160811D SAMSUNG

获取价格

 		2M x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E160811D-B SAMSUNG

获取价格

 		DRAM
K4E160811D-BC50 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
K4E160811D-BC600 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
K4E160811D-BL50 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

与K4E160412D-B6000相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证