是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ24/26,.34 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.92 |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J24 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.15 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16MX1 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ24/26,.34 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 座面最大高度: | 3.76 mm |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4E170411C-BC500 | SAMSUNG |
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EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 | |
K4E170411C-BC60 | SAMSUNG |
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EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 | |
K4E170411C-FL50 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 | |
K4E170411C-FL500 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24 | |
K4E170411D | SAMSUNG |
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4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out | |
K4E170411D-B | SAMSUNG |
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DRAM | |
K4E170411D-B5000 | SAMSUNG |
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EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24 | |
K4E170411D-BL50 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 | |
K4E170411D-F | SAMSUNG |
获取价格 |
DRAM | |
K4E170411D-F5000 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24 |