5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > K4E170411C-FL50
K4E170411C-FL50 PDF预览

K4E170411C-FL50

更新时间： 2024-11-20 21:21:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 257K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24

阅读下载

中文翻译

获取价格

K4E170411C-FL50 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP24/26,.36
针数：26Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.81Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G24JESD-609代码：e0
长度：17.14 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：24字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP24/26,.36封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.00025 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

K4E170411C-FL50 数据手册

 浏览型号K4E170411C-FL50的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4E170411C-FL50的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4E170411C-FL50的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4E170411C-FL50的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4E170411C-FL50的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4E170411C-FL50的Datasheet PDF文件第7页 
K4E170411C, K4E160411C  
K4E170412C, K4E160412C  
CMOS DRAM  
4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out  
DESCRIPTION  
This is a family of 4.194,304 x 4 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of  
memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (2K Ref. or 4K  
Ref.), access time (-50 or -60), power consumption(Normal or Low power) and package type(SOJ or TSOP-II) are optional features of  
this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh  
operation is available in L-version.  
This 4Mx4 EDO DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power consump-  
tion and high reliability. It may be used as main memory unit for high level computer, microcomputer and personal computer.  
FEATURES  
• Part Identification  
• Extended Data Out Mode operation  
(Fast Page Mode with Extended Data Out)  
• CAS-before-RAS refresh capability  
- K4E170411C-B(F) (5V, 4K Ref.)  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
- K4E160411C-B(F) (5V, 2K Ref.)  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
- K4E170412C-B(F) (3.3V, 4K Ref.)  
- K4E160412C-B(F) (3.3V, 2K Ref.)  
• Fast parallel test mode capability  
• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
• ActivePowerDissipation  
Unit : mW  
5V  
3.3V  
• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages  
• Single +5V±10% power supply (5V product)  
• Single +3.3V±0.3V power supply (3.3V product)  
Speed  
4K  
324  
288  
2K  
4K  
2K  
-50  
-60  
396  
360  
495  
440  
605  
550  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
• Refresh Cycles  
Part  
NO.  
Refresh Refresh period  
RAS  
CAS  
W
VCC  
Vcc  
Vss  
Control  
Clocks  
cycle  
Normal L-ver  
VBB Generator  
K4E170411C  
5V  
4K  
2K  
64ms  
32ms  
Data in  
K4E170412C 3.3V  
K4E160411C 5V  
128ms  
Buffer  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
Refresh Counter  
K4E160412C 3.3V  
DQ0  
to  
DQ3  
Memory Array  
4,194,304 x4  
Cells  
• Performance Range  
A0-A11  
(A0 - A10)*1  
A0 - A9  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Speed  
-50  
Remark  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
15ns  
tRC  
84ns  
tHPC  
Data out  
Buffer  
Column Decoder  
OE  
(A0 - A10)*1  
20ns 5V/3.3V  
-60  
17ns 104ns 25ns 5V/3.3V  
Note) *1 : 2K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...21

中文翻译

下载PDF

与K4E170411C-FL50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4E170411C-FL500 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
K4E170411D SAMSUNG

获取价格

 		4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E170411D-B SAMSUNG

获取价格

 		DRAM
K4E170411D-B5000 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24
K4E170411D-BL50 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
K4E170411D-F SAMSUNG

获取价格

 		DRAM
K4E170411D-F5000 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24
K4E170411D-F6000 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24
K4E170411D-FC50 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, TSOP2-26/24
K4E170411D-FC500 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24

与K4E170411C-FL50相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证