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K4D26323RA-GC33

更新时间： 2024-02-11 03:10:27

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
18页	304K
描述
1M x 32Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous RAM with Bi-directional Data Strobe and DLL

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K4D26323RA-GC33 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA144,12X12,32
针数：	144	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	300 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B144	JESD-609代码：	e0
长度：	12 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	65 °C	最低工作温度：
组织：	4MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA144,12X12,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.4 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8,FP
最大待机电流：	0.08 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.94 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.66 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

K4D26323RA-GC33 数据手册

* VDD / VDDQ=2.8V *

128M DDR SDRAM

K4D26323RA-GC

128Mbit DDR SDRAM

1M x 32Bit x 4 Banks

Double Data Rate Synchronous RAM

with Bi-directional Data Strobe and DLL

(144-Ball FBGA)

Revision 2.0

January 2003

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev. 2.0 (Jan. 2003)

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