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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | LFBGA, BGA144,12X12,32 |
| 针数： | 144 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 275 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8 |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B144 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 12 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 144 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 65 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFBGA |
| 封装等效代码： | BGA144,12X12,32 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 2.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.075 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.94 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.66 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 12 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IS43R32400D-5BLI | ISSI |
功能相似  |
Four internal banks for concurrent operation |
|
| HYB25D128323CL3.6 | INFINEON |
功能相似 |
128 Mbit DDR SGRAM |
|
| K4D263238E-GC33 | SAMSUNG |
功能相似 |
1M x 32Bit x 4 Banks Graphic Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data St |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4D28163HD | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit DDR SDRAM |
|
| K4D28163HD-TC36 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit DDR SDRAM |
|
| K4D28163HD-TC40 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit DDR SDRAM |
|
| K4D28163HD-TC50 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit DDR SDRAM |
|
| K4D28163HD-TC60 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit DDR SDRAM |
|
| K4D551638D | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit GDDR SDRAM |
|
| K4D551638D-LC2A0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2 |
|
| K4D551638D-LC2AT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, |
|
| K4D551638D-LC360 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2 |
|
| K4D551638D-LC36T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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