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K4D28163HD-TC60

更新时间: 2024-09-22 22:14:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
16页 123K
描述
128Mbit DDR SDRAM

K4D28163HD-TC60 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):166 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e0
长度:22.22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:65 °C最低工作温度:
组织:8MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:2.5,3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.28 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

K4D28163HD-TC60 数据手册

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128M DDR SDRAM  
K4D28163HD  
128Mbit DDR SDRAM  
2M x 16Bit x 4 Banks  
Double Data Rate Synchronous DRAM  
Revision 1.4  
August 2002  
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
- 1 -  
Rev. 1.4(Aug. 2002)  

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