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K4D551638D-LC60T

更新时间： 2024-11-20 08:44:35

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K4D551638D-LC60T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	最长访问时间：	0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	端子数量：	66
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
最高工作温度：	65 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.2 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

256M GDDR SDRAM

K4D551638D-TC

256Mbit GDDR SDRAM

4M x 16Bit x 4 Banks

Graphic Double Data Rate

Synchronous DRAM

Revision 1.8

October 2003

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev 1.8 (Oct. 2003)

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4D551638D-TC	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM
K4D551638D-TC2A	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM
K4D551638D-TC2A0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4D551638D-TC2AT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66,
K4D551638D-TC33	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM
K4D551638D-TC36	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM
K4D551638D-TC360	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4D551638D-TC36T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66,
K4D551638D-TC40	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM
K4D551638D-TC400	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66