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K3N3U1000D-TC120 PDF预览

K3N3U1000D-TC120

更新时间： 2024-02-18 06:44:34
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 48K
描述
MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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K3N3U1000D-TC120 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2,
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92最长访问时间：120 ns
备用内存宽度：8JESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

K3N3U1000D-TC120 数据手册

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K3N3V(U)1000D-TC(E)  
CMOS MASK ROM  
4M-Bit (512Kx8 /256x16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
524,288 x 8(byte mode)  
The K3N3V(U)1000D-TC(E) is a fully static mask programma-  
ble ROM fabricated using silicon gate CMOS process technol-  
ogy, and is organized either as 524,288 x 8 bit(byte mode) or as  
262,144 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
262,144 x 16(word mode)  
· Fast access time  
3.3V Operation : 100ns(Max.)  
3.0V Operation : 120ns(Max.)  
· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V  
· Current consumption  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
Operating : 25mA(Max.)  
Standby : 30mA(Max.)  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.The K3N3V(U)1000D-TC(E)  
is packaged in a 44-TSOP2.  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
· Package  
-. K3N3V(U)1000D-TC(E) : 44-TSOP2-400  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PRODUCT INFORMATION  
Operating  
Temp  
Vcc  
Range  
Speed  
(ns)  
Product  
A17  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
K3N3V(U)1000D-TC  
K3N3V(U)1000D-TE  
0°C~70°C  
BUFFERS  
AND  
3.3V/3.0V  
100/120  
.
.
.
.
.
.
.
.
-20°C~85°C  
(262,144x16/  
524,288x8)  
DECODER  
Y
SENSE AMP.  
BUFFERS  
AND  
DATA OUT  
BUFFERS  
PIN CONFIGURATION  
DECODER  
A0  
A-1  
N.C  
N.C  
N.C  
N.C  
A8  
1
2
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
. . .  
A17  
A7  
3
CE  
4
A9  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
A6  
A5  
A10  
A11  
A12  
5
OE  
6
BHE  
A4  
7
A3  
8
37 A13  
A14  
36  
A2  
9
A1  
A15  
35  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
Pin Name  
A0 - A17  
Pin Function  
A16  
34  
A0  
TSOP2  
BHE  
CE  
VSS  
OE  
Q0  
Q8  
Q1  
Q9  
33  
32  
31  
30  
Address Inputs  
Data Outputs  
VSS  
Q0 - Q14  
Q15/A-1  
Q7  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
29 Q14  
28 Q6  
17  
18  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
Q13  
Q5  
27  
26  
Q2 19  
Q10 20  
25 Q12  
OE  
Q4  
24  
Q3  
21  
VCC  
VSS  
N.C  
Q11  
22  
VCC  
23  
Ground  
No Connection  
K3N3V(U)1000D-TC(E)  
123

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与K3N3U1000D-TC120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3N3U1000D-TE12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N3U1000D-TE120 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N3U3000D-DC SAMSUNG

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