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K3N3V1000D-TC

更新时间： 2024-09-23 21:07:27

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三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM
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3页	48K
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MASK ROM

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K3N3V1000D-TC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Base Number Matches：	1

K3N3V1000D-TC 数据手册

K3N3V(U)1000D-TC(E)

CMOS MASK ROM

4M-Bit (512Kx8 /256x16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

524,288 x 8(byte mode)

The K3N3V(U)1000D-TC(E) is a fully static mask programma-

ble ROM fabricated using silicon gate CMOS process technol-

ogy, and is organized either as 524,288 x 8 bit(byte mode) or as

262,144 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage

level.(See mode selection table)

262,144 x 16(word mode)

· Fast access time

3.3V Operation : 100ns(Max.)

3.0V Operation : 120ns(Max.)

· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V

· Current consumption

This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

Operating : 25mA(Max.)

Standby : 30mA(Max.)

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.The K3N3V(U)1000D-TC(E)

is packaged in a 44-TSOP2.

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

· Package

-. K3N3V(U)1000D-TC(E) : 44-TSOP2-400

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PRODUCT INFORMATION

Operating

Temp

Vcc

Range

Speed

(ns)

Product

A17

MEMORY CELL

MATRIX

K3N3V(U)1000D-TC

K3N3V(U)1000D-TE

0°C~70°C

BUFFERS

AND

3.3V/3.0V

100/120

-20°C~85°C

(262,144x16/

524,288x8)

DECODER

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DATA OUT

BUFFERS

PIN CONFIGURATION

DECODER

A-1

N.C

. . .

A17

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

A10

A11

A12

BHE

37 A13

A14

A15

Pin Name

A0 - A17

Pin Function

A16

TSOP2

BHE

VSS

Address Inputs

Data Outputs

VSS

Q0 - Q14

Q15/A-1

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

29 Q14

28 Q6

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

Output Enable

Power

Q13

Q2 19

Q10 20

25 Q12

VCC

VSS

N.C

Q11

VCC

Ground

No Connection

K3N3V(U)1000D-TC(E)

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K3N3V1000D-TC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N3V1000D-TC100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N3V1000D-TE	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM
K3N3V1000D-TE10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N3V1000D-TE100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N3V3000D-AC85	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32
K3N3V3000D-AC850	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32
K3N3V3000D-AE85	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32
K3N3V3000D-AE850	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32
K3N3V3000D-DC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32

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