Datasheet > K3N3V3000D-AE850

K3N3V3000D-AE850

更新时间： 2024-09-23 19:49:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
3页	44K
描述
MASK ROM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K3N3V3000D-AE850 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1,
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	85 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	长度：	11.8 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

K3N3V3000D-AE850 数据手册

K3N3V(U)3000D-AC(E)

CMOS MASK ROM

4M-Bit (512Kx8) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· 524,288 x 8 bit organization

· Fast access time(CL=30pF)

3.3V Operation : 85ns(Max.)

3.0V Operation : 95ns(Max.)

· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V

· Current consumption

Operating : 25mA(Max.)

Standby : 30mA(Max.)

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The K3N3V(U)3000D-AC(E) is fully static mask programma-

ble ROM organized 524,288 x 8 bit. It is fabricated using silicon

gate CMOS process technoiogy.

This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

The K3N3V(U)3000D-AC(E) is packaged in a 32-sTSOP1.

· Package

-. K3N3V(U)3000D-AC(E) : 32-sTSOP1-0813.4

PRODUCT INFORMATION

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Operating

Temp Range

Vcc Range

(Typical)

Speed

(ns)

Product

A18

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

K3N3V(U)3000D-AC

0°C~70°C

3.3V/3.0V

85/95

(524,288x8)

K3N3V(U)3000D-AE -20°C~85°C

DECODER

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DECODER

PIN CONFIGURATION

. . .

A11

A10

VSS

#32

CONTROL

LOGIC

A13

A14

A17

N.C

VCC

A18

A16

A15

A12

32-sTSOP1

Pin Name

A0 - A18

Q0 - Q7

Pin Function

Address Inputs

Data Outputs

Chip Enable

Output Enable

Power

#17

#16

VCC

K3N3V(U)3000D-AC(E)

VSS

Ground

N.C

No Connection

12 3

中文翻译

下载PDF

与K3N3V3000D-AE850相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K3N3V3000D-DC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32
K3N3V3000D-DC100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32
K3N3V3000D-DG10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
K3N3V3000D-GC	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32
K3N3V3000D-GC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
K3N3V3000D-GC100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
K3N3V3000D-YC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K3N3V3000D-YC100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K3N3V3000D-YE10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
K3N3V3000D-YE100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32

与K3N3V3000D-AE850相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

4
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

6
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

78
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

68

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N3V3000D-AE850

K3N3V3000D-AE850 技术参数

K3N3V3000D-AE850 数据手册

与K3N3V3000D-AE850相关器件

与K3N3V3000D-AE850相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N3V3000D-AE850

K3N3V3000D-AE850 技术参数

K3N3V3000D-AE850 数据手册

与K3N3V3000D-AE850相关器件

与K3N3V3000D-AE850相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？