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JS28F00AM29EWLA

更新时间： 2024-02-04 08:55:34

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镁光 - MICRON		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
75页	855K
描述
Parallel NOR Flash Embedded Memory

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JS28F00AM29EWLA 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	14 X 20 MM, GREEN, TSOP-56	针数：	56
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.56
最长访问时间：	110 ns	启动块：	BOTTOM/TOP
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	长度：	18.4 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	56	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
类型：	NOR TYPE	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash

Features

Table 3: Part Numbers with Security Features by Density, Medium, and Package

Package

Density

Medium

–

256Mb

Tray

PC28F256M29EWHD

PC28F256M29EWLD

–

Tape and Reel

Tray

–

512Mb

1Gb

–

PC28F512M29EWHA

PC28F512M29EWLE

PC28F512M29EWHE

PC28F00AM29EWHD

PC28F00AM29EWLE

–

Tape and Reel

Tray

–

Tape and Reel

–

1. This data sheet covers only standard parts. For security parts, contact your local Micron sales representative.

Note:

PDF: 09005aef849b4b09

m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN

Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
JS28F00AP30BF	MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)	获取价格
JS28F00AP30BF	NUMONYX	暂无描述	获取价格
JS28F00AP30BFA	NUMONYX	Flash, 64MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56	获取价格
JS28F00AP30BFA	MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard	获取价格
JS28F00AP30EF	MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)	获取价格
JS28F00AP30EF	NUMONYX	Flash, 64MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56	获取价格