是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSSOP, | 针数: | 56 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.74 |
最长访问时间: | 105 ns | 其他特性: | TOP BOOT; IT ALSO OPERATES IN ASYNCHRONOUS MODE |
启动块: | TOP | JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 1073741824 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 56 | 字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 编程电压: | 3 V |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JS28F064M29EWBA | MICRON |
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Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard | |
JS28F064M29EWHA | MICRON |
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Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard | |
JS28F064M29EWLA | MICRON |
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Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard | |
JS28F064M29EWLB | MICRON |
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(x8/x16), 3V, Single Bit Per Cell, Page Read, Parallel NOR Flash Memory | |
JS28F064M29EWTA | MICRON |
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Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard | |
JS28F064M29EWXX | MICRON |
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Parallel NOR Flash Embedded Memory | |
JS28F128J3A-110 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) | |
JS28F128J3A-115 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) | |
JS28F128J3A-120 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) | |
JS28F128J3A-125 | INTEL |
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Intel StrataFlash Memory (J3) |