是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TSSOP, TSSOP56,.8,20 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.79 | 最长访问时间: | 110 ns |
启动块: | TOP | 命令用户界面: | YES |
通用闪存接口: | YES | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 | 内存密度: | 1073741824 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
部门数/规模: | 4,1023 | 端子数量: | 56 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP56,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
页面大小: | 16 words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 1.8,1.8/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
部门规模: | 16K,64K | 最大待机电流: | 0.00024 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.031 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | NO | 类型: | NOR TYPE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
JS28F00AP30EFA | MICRON | Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard |
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JS28F00AP30TF | MICRON | Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) |
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JS28F00AP30TFA | MICRON | Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard |
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JS28F00AP33BFA | MICRON | Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |
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JS28F00AP33BFA | NUMONYX | Flash, 64MX16, 105ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56 |
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JS28F00AP33EFA | MICRON | Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |
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