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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MELF |
| 包装说明： | O-MELF-R2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.42 |
| 最小击穿电压： | 34.2 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-MELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 5 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/516 |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANS1N6119US | MICROSEMI |
功能相似  |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 27V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| JAN1N6119US | MICROSEMI |
功能相似 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 27.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6120 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JANTXV1N6120 | SEMTECH |
获取价格 |
暂无描述 |
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| JANTXV1N6120A | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JANTXV1N6120A | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 29.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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| JANTXV1N6120A | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor |
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| JANTXV1N6120AUS | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| JANTXV1N6120AUS | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor SM |
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| JANTXV1N6120US | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| JANTXV1N6120US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon |
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| JANTXV1N6121 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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