5秒后页面跳转
JANTXV1N6123 PDF预览

JANTXV1N6123

更新时间: 2024-11-04 11:23:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

JANTXV1N6123 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.45
Is Samacsys:N其他特性:LOW IMPEDANCE
最小击穿电压:45.9 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/516
最大重复峰值反向电压:38.8 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JANTXV1N6123 数据手册

 浏览型号JANTXV1N6123的Datasheet PDF文件第2页 

JANTXV1N6123 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N6123 MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
1N6123 MICROSEMI

功能相似

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与JANTXV1N6123相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N6123A MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTXV1N6123A SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 38.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JANTXV1N6123A SENSITRON

获取价格

500 W Transient Voltage Suppressor
JANTXV1N6123AUS SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 39V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
JANTXV1N6123AUS SENSITRON

获取价格

500 W Transient Voltage Suppressor SM
JANTXV1N6123US MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, MICRO MINIATURE,
JANTXV1N6123US SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 39V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
JANTXV1N6124 SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 42.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE
JANTXV1N6124 MICROSEMI

获取价格

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTXV1N6124A SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 42.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE