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JANTXV1N6123US

更新时间: 2024-09-16 13:09:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, MICRO MINIATURE, GLASS, MELF-2

JANTXV1N6123US 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:O-MELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.43
Is Samacsys:N最小击穿电压:48.5 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-MELF-R2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/516表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JANTXV1N6123US 数据手册

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