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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MELF |
| 包装说明： | O-MELF-R2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.42 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 34.2 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-MELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 5 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/516 | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N6119AUS | MICROSEMI |
完全替代  |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 27.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6119US | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, MICRO MINIATURE, |
|
| JANTXV1N6119US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 27V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon |
|
| JANTXV1N6120 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| JANTXV1N6120 | SEMTECH |
获取价格 |
暂无描述 |
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| JANTXV1N6120A | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
|
| JANTXV1N6120A | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 29.7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
|
| JANTXV1N6120A | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor |
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| JANTXV1N6120AUS | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| JANTXV1N6120AUS | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor SM |
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| JANTXV1N6120US | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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