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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-5 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.27 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-203AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 500 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 35 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/297 | 最大重复峰值反向电压： | 400 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE5991 | NTE |
类似代替  |
NTE5906, NTE5907, NTE5980 thru NTE6005 Silicon Power Rectifier Diode, 40 Amp |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N1190 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
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| JANTXV1N1190R | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| JANTXV1N1202A | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JANTXV1N1202AR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
|
| JANTXV1N1204A | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
|
| JANTXV1N1204AR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
|
| JANTXV1N1206A | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JANTXV1N1614 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JANTXV1N1614R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JANTXV1N1615 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
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