5秒后页面跳转
JANTXV1N1614R PDF预览

JANTXV1N1614R

更新时间: 2024-11-20 23:15:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事快速恢复能力电源快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 115K
描述
Military Silicon Power Rectifier

JANTXV1N1614R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.51
Is Samacsys:N应用:FAST RECOVERY POWER
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-4
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500/162
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

JANTXV1N1614R 数据手册

 浏览型号JANTXV1N1614R的Datasheet PDF文件第2页 

与JANTXV1N1614R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV1N1615 MICROSEMI

获取价格

Military Silicon Power Rectifier
JANTXV1N1615R MICROSEMI

获取价格

Military Silicon Power Rectifier
JANTXV1N1616 MICROSEMI

获取价格

Military Silicon Power Rectifier
JANTXV1N1616R MICROSEMI

获取价格

Military Silicon Power Rectifier
JANTXV1N270R MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium,
JANTXV1N276 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.04A, 100V V(RRM), Germanium,
JANTXV1N276R MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium,
JANTXV1N277R MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium,
JANTXV1N2804 MICROSEMI

获取价格

50 Watt Zener Diodes
JANTXV1N2804A MICROSEMI

获取价格

50 Watt Zener Diodes