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JANTXV1N276R

更新时间: 2024-11-25 20:48:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium,

JANTXV1N276R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.76Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:GERMANIUM二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.08 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.3 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

JANTXV1N276R 数据手册

  

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