是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-4 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.31 | Is Samacsys: | N |
应用: | POWER | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-203AA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 240 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最大输出电流: | 12 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500/260 | 最大重复峰值反向电压: | 600 V |
最大反向恢复时间: | 5 µs | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTX1N1206A | MICROSEMI |
类似代替 ![]() |
Military Silicon Power Rectifier |
![]() |
1N1206A | VISHAY |
功能相似 ![]() |
Medium Power Silicon Rectifier Diodes, 12 A |
![]() |
JAN1N1206A | MICROSEMI |
功能相似 ![]() |
Military Silicon Power Rectifier |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N1614 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
![]() |
JANTXV1N1614R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
![]() |
JANTXV1N1615 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
![]() |
JANTXV1N1615R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
![]() |
JANTXV1N1616 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
![]() |
JANTXV1N1616R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
![]() |
JANTXV1N270R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium, |
![]() |
JANTXV1N276 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.04A, 100V V(RRM), Germanium, |
![]() |
JANTXV1N276R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium, |
![]() |
JANTXV1N277R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium, |
![]() |