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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-4 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.26 | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-203AA | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 240 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最大输出电流： | 12 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/260 |
| 最大重复峰值反向电压： | 400 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N1203R | MICROSEMI |
功能相似  |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
|
| 1N1204R | MICROSEMI |
功能相似 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N1206A | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JANTXV1N1614 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JANTXV1N1614R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JANTXV1N1615 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JANTXV1N1615R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JANTXV1N1616 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JANTXV1N1616R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| JANTXV1N270R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium, |
|
| JANTXV1N276 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.04A, 100V V(RRM), Germanium, |
|
| JANTXV1N276R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium, |
|
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