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JANTX1N914-1

更新时间： 2024-09-16 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	26K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, Silicon, DO-35,

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JANTX1N914-1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.075 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/116
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

JANTX1N914-1 数据手册

1N914

Silicon Switching Diode

DO-35 Glass Package

1N914-1

Applications

Used in general purpose applications, where performance and switching

speed are important.

DO-35 Glass Package

Features

Lead Dia.

0.018-0.022"

0.458-0.558 mm

Six sigma quality

Metallurgically bonded

BKC's Sigma Bond™ plating

for problem free solderability

LL-34/35 MELF SMD available

Full approval to Mil-S-19500/116

Available up to JANTXV levels

"S" level screening available to SCDs

Dia.

0.06-0.09"

1.0"

25.4 mm

(Min.)

Length

0.120-.200"

3.05-5.08- mm

1.53-2.28 mm

Maximum Ratings

Symbol

Value

100 (Min.)

Unit

Peak Inverse Voltage

PIV

I_Avg

Volts

mAmps

Amp

AverageRectifiedCurrent

Continuous Forward Current

I_Fdc

300

Peak Surge Current (t_peak= 1 sec.)

Power Dissipation @ T_L=50 ^oC, L = 3/8" from body

Storage & Operating Temperature Range

I_peak

P_tot

0.5

250

mWatts

^oC

T_{St & Op}

-65 to +200

Electrical Characteristics @ 25^oC*

Symbol

Absolute Limits

Unit

Breakdown Voltage @ Ir = 0.1 mA

PIV

100 (Min)

Volts

Reverse Leakage Current @ V_R= 20 V

Reverse Leakage (Vr =20 V, 150 ^oC)

Reverse Leakage Current @ V_R= 75 V

Capacitance @ V_R= 0 V, f = 1mHz

Reverse Recovery Time (note 1)

I_R

0.025 (Max)

50 (Max)

5.0 (Max)

4.0 (Max)

2.5 (Max)

µA

I_R

µA

C_T

t_rr

nSecs

Volts

Forward Recovery Time (note 2)

V_fr

Note 1: I_F= 10 mA, R_L= 100 Ohms, Vr = 6.0 Volts , Irr =1.0 mA

Note 2: I_F= 50 mA dc

*UNLESS OTHERWISE SPECIFIED

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX1N914R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon,
JANTX1N914UR	CDI-DIODE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-
JANTX1N914UR-1	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA,
JANTX1N914UR-1/LL914	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon,
JANTX1N935-1	CDI-DIODE	获取价格	Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN
JANTX1N935-1	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETICALLY SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN
JANTX1N935A	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETICALLY SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN
JANTX1N935A-1	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETICALLY SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN
JANTX1N935B	CDI-DIODE	获取价格	Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN
JANTX1N935B-1	CDI-DIODE	获取价格	Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN

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