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JANTX1N938B-1 PDF预览

JANTX1N938B-1

更新时间： 2024-09-16 15:35:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 120K
描述
Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

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JANTX1N938B-1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-7
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.21
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500标称参考电压：9 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max：0.09 mV/ °C最大电压容差：5%
Base Number Matches：1

JANTX1N938B-1 数据手册

 浏览型号JANTX1N938B-1的Datasheet PDF文件第2页 
1N935 thru 1N938B  
and  
•
1N935B-1, 1N937B-1 AND 1N938B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV  
AND JANS PER MIL-PRF-19500/156  
• 9.0 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE  
1N935B-1 thru 1N938B-1  
• TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C  
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C  
REVERSE LEAKAGE CURRENT  
lR = 10µ A @ 25°C & VR = 6 Vdc  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise speci½ed.  
JEDEC  
TYPE  
NUMBER  
ZENER  
VOLTAGE  
ZENER  
TEST  
CURRENT  
MAXIMUM  
ZENER  
IMPEDANCE  
(Note 1)  
VOLTAGE  
TEMPERATURE  
STABILITY  
TEMPERATURE  
RANGE  
EFFECTIVE  
TEMPERATURE  
COEFFICIENT  
v
@ I  
I
³V  
z
ZT  
ZT  
ZT  
Z
MAXIMUM  
FIGURE 1  
ZT  
(Note 2)  
VOLTS  
mA  
OHMS  
mV  
°C  
% / °C  
1N935  
1N935A  
1N935B  
8.55—9.45  
8.55—9.45  
8.55—9.45  
7.5  
7.5  
7.5  
20  
20  
20  
67  
139  
184  
0 to + 75  
-55 to +100  
-55 to +150  
0.01  
0.01  
0.01  
DESIGN DATA  
1N936  
1N936A  
1N936B  
8.55—9.45  
8.55—9.45  
8.55—9.45  
7.5  
7.5  
7.5  
20  
20  
20  
34  
70  
92  
0 to + 75  
-55 to +100  
-55 to +150  
0.005  
0.005  
0.005  
CASE: Hermetically sealed glass  
case. DO – 35 outline.  
1N937  
1N937A  
1N937B  
8.55—9.45  
8.55—9.45  
8.55—9.45  
7.5  
7.5  
7.5  
20  
20  
20  
13  
28  
37  
0 to + 75  
-55 to +100  
-55 to +150  
0.002  
0.002  
0.002  
LEAD MATERIAL: Copper clad steel.  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
1N938  
1N938A  
1N938B  
8.55—9.45  
8.55—9.45  
8.55—9.45  
7.5  
7.5  
7.5  
20  
20  
20  
6.7  
13.9  
19  
0 to + 75  
-55 to +100  
-55 to +150  
0.001  
0.001  
0.001  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
MOUNTING POSITION: Any.  
NOTE 1 Zener impedance is derived by superimposing on l  
A 60Hz rms a.c. current equal  
ZT  
to 10% of l  
.
ZT  
NOTE 2 The maximum allowable change observed over the entire temperature range i.e., the  
diode voltage will not exceed the speci½ed mV at any discrete temperature between  
the established limits, per JEDEC standard No. 5.  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
FAX (978) 689-0803  
19  
12

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JANTX1N938B-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RH938B MICROSEMI

完全替代

 Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETICALLY SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN
1N938B MICROSEMI

完全替代

 9.0 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

与JANTX1N938B-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX1N938BUR-1 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, LEADLESS, GLASS, LL34,
JANTX1N938BUR-1 CDI-DIODE

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 		Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
JANTX1N938UR-1 CDI-DIODE

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 		Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
JANTX1N939-1 CDI-DIODE

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 		Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN
JANTX1N939B MICROSEMI

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 		Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-7, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
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 		Zener Diode, 9V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETICALLY SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN
JANTX1N941-1 CDI-DIODE

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 		DIODE 11.7 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SIMILAR TO
JANTX1N941B MICROSEMI

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 		Zener Diode, 11.7V V(Z), 4.96%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SIMILAR TO D

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