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JANTX1N5807US

更新时间： 2024-01-16 10:12:26
品牌 Logo 应用领域
商升特 - SEMTECH 快速恢复能力电源超快恢复二极管快速恢复二极管超快速恢复能力电源
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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JANTX1N5807US 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83应用：ULTRA FAST RECOVERY POWER
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-LELF-R2最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：3 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：0.03 µs表面贴装：YES
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END

JANTX1N5807US 数据手册

 浏览型号JANTX1N5807US的Datasheet PDF文件第2页 
1N5807US/1N5809US/1N5811US  
Superfast Recovery Diodes  
Surface Mount (US)  
POWER DISCRETES  
Description  
Features  
Quick reference data  
u Very low reverse recovery time  
u Hermetically sealed non-cavity construction  
u Soft, non-snap, off recovery characteristics  
u Very low forward voltage drop  
VR 50 -150 V  
IF 1N5807US to 1N5811US = 6A  
trr 1N5807US to 1N5811US = 30nS  
IR 1N5807US to 1N5811US = 5µA  
These products are qualified to MIL-PRF-19500/477  
and are preferred parts as listed in MIL-HDBK-5961.  
They can be supplied fully released as JANTX , JANTXV  
and JANS versions.  
Electrical Specifications  
Electrical specifications @ TA = 25°C unless otherwise specified.  
Symbol  
VRWM  
VRRM  
IF(AV)  
1N5807US  
1N5809US  
1N5811US  
Units  
Working Reverse Voltage  
Repetitive Reverse Voltage  
50  
50  
100  
100  
150  
150  
V
V
Average Forward Current  
(@ 75°C lead length = 0.375')  
6.0  
25  
A
A
Repetitive Surge Current  
(@ 55°C in free air lead length = 0.375')  
IFRM  
Non-Repetitive Surge Current  
IFSM  
125  
A
(tp = 8.3mS @ Vr & TJMAX  
)
Storage Temperature Range  
TSTG  
-65 to +175  
°C  
Average Forward Current Max  
(pcb mounted: TA = 55°C)  
Sine wave  
IF(AV)  
IF(AV)  
1.7  
1.8  
A
A2S  
V
Square wave (d = 0.5)  
I2t for fusing (t = 8.3mS) max  
I2t  
32  
Forward Voltage Drop max  
@ TJ = 25°C  
VF  
0.875 @ 4A  
Reverse Current max  
@ VWRM, TJ = 25°C  
@ VWRM, TJ = 100°C  
IR  
IR  
5.0  
150  
µA  
Reverse Recovery Time max  
(1.0A I to 1.0A IRM recover to 0.25A I  
)
trr  
CJ  
30  
60  
nS  
pF  
F
RM(REC)  
Junction Capacitance typ  
@ VR = 5V f = 1MHz  
Thermal Resistance to end cap  
RqJEC  
6.5  
°C/W  
Revision: May 26, 2006  
1
www.semtech.com  
12

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