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JANTX1N5814R PDF预览

JANTX1N5814R

更新时间： 2024-11-25 14:51:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 快速恢复能力电源快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

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JANTX1N5814R 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-4
包装说明：O-MUPM-D1针数：1
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.31Is Samacsys：N
应用：ULTRA FAST RECOVERY外壳连接：ANODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JEDEC-95代码：DO-203AAJESD-30 代码：O-MUPM-D1
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：400 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/478
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

JANTX1N5814R 数据手册

  
TECHNICAL DATA  
FAST RECOVERY POWER RECTIFIER  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 478  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
1N5812  
1N5812R  
1N5814  
1N5814R  
1N5815  
1N5815R  
1N5816  
1N5816R  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
1N5812 1N5814 1N5816  
1N5812R 1N5814R 1N5816R  
Symbol  
Unit  
Reverse Voltage  
50  
100  
100  
20  
150  
Vdc  
Vpk  
Adc  
VR  
VRWM  
IO  
Working Peak Reverse Voltage  
50  
150  
Average Forward Current  
Forward Current Surge Peak TC = +1000C  
tp = 8.3 ms  
TC = +1000C (1)  
400  
Adc  
IFSM  
Reverse Recovery Time  
35  
hs  
0C  
trr  
TJ, T  
Operating & Storage Junction Temperature  
-65 to +175  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
DO-203AA  
(DO-4)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1) Derate linearly 250 mA/0C from +1000C to +1500C, & 300 mA/0C above +1500C  
1.5  
R
qJC  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Zq  
Min.  
Max.  
Unit  
Thermal Impedance  
0C/W  
JX  
IH ³ rated IO; tH £ 250ms; 10 mA £ IM £ 100 mA; tMD = 250 ms (max)  
1.35  
Forward Voltage  
tp £ 8.3 ms, duty cycle £ 2.0% pulsed  
IF = 10 A (pk)  
IF = 20 A (pk)  
VF1  
VF2  
Vdc  
Vpk  
0.860  
0.950  
Reverse Current  
VR = Rated VR (See 1.3 of MIL-PRF-19500/478)  
Breakdown Voltage  
IR  
mAdc  
10  
IR = 100 mAdc  
IR = 100 mAdc  
IR = 100 mAdc  
1N5812, R  
1N5814, R  
1N5816, R  
60  
110  
160  
V(BR)  
Vdc  
Junction Capacitance  
VR = 10 Vdc, VSIG = 50 mVdc (p-p) max, f = 1.0 MHz  
Forward Recovery Voltage  
CJ  
VFR  
trr  
pF  
V(pk)  
hs  
300  
tp ³ 20 hs, tr = 8.0 hs; IF = 1,000 mA  
2.2  
15  
Forward Recovery Time  
IF = 1,000 mA  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
120101  
Page 1 of 1  
1

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JANTX1N5814R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
30CTQ045 DIOTEC

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 High Temperature Schottky Rectifier . Common Cathode
MBR2045CT GOOD-ARK

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 Dual Schottky Barrier Rectifiers

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX1N5815R MICROSEMI

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 		Rectifier Diode,
JANTX1N5816 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTX1N5816 SENSITRON

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 		DESCRIPTION: 150 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE.
JANTX1N5816R MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 150V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JANTX1N5819-1 SENSITRON

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 		HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER
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 		HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER
JANTX1N5819UR-1 CDI-DIODE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
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 		3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
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