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JANTX1N5809R

更新时间: 2024-09-27 07:55:27
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美高森美 - MICROSEMI 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 254K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon,

JANTX1N5809R 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.76
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:125 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:6 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.03 µs
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

JANTX1N5809R 数据手册

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