是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-XELF-R2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.15 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JESD-30 代码: | O-XELF-R2 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 2.5 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 0.3 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500/609D |
最大重复峰值反向电压: | 75 V | 最大反向电流: | 0.1 µA |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N6640US | MICROSEMI |
类似代替 |
SWITCHING DIODES | |
JANTX1N6640US | MICROSEMI |
类似代替 |
SWITCHING DIODES | |
JAN1N6640US | MICROSEMI |
类似代替 |
SWITCHING DIODES |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANS1N6641 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, Silicon, SIMILAR TO DO-35, 2 PIN | |
JANS1N6641 | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, SIMILAR TO DO-35, 2 PIN | |
JANS1N6641US | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODES | |
JANS1N6641US | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, SURFACE MOUNT PACKAGE-2 | |
JANS1N6642 | MICROSEMI |
获取价格 |
COMPUTER SWITCHING DIODE | |
JANS1N6642 | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, SIMILAR TO DO-35, 2 PIN | |
JANS1N6642U | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODES | |
JANS1N6642U | SENSITRON |
获取价格 |
Small Signal/Switching Diodes | |
JANS1N6642UB2R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 | |
JANS1N6642UBCC | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.3A, 100V V(RRM), Silicon, CERAMIC PACKAGE-3 |