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JANS1N6761UR-1

更新时间: 2024-11-25 14:30:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 291K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-213AB, DO-213AA

JANS1N6761UR-1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-213AA
包装说明:O-XELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.35
Is Samacsys:N其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-213ABJESD-30 代码:O-XELF-R2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:1 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/586F最大重复峰值反向电压:100 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

JANS1N6761UR-1 数据手册

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JANS1N6761UR-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N6761UR-1 MICROSEMI

完全替代

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JAN1N6761UR-1 MICROSEMI

完全替代

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JANTX1N6761UR-1 MICROSEMI

完全替代

Operating Temperature: -55°C to 125°C, Stor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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JANS1N6858-1 CDI-DIODE

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35A 150V Hi-Rel Schottky Common Cathode Diode in a SMD-1 package DLA Number 1N7039CCU1 - J
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20A 45V Hi-Rel Schottky Common Cathode Diode in a SMD-1 package DLA Number 1N7041CCU1 - JA
JANS1N7043CAT1 INFINEON

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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMET