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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.01 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/127 | 标称参考电压： | 6.8 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 3.604 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 20 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS1N755A-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 7.5V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
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| JANS1N756A-1 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
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| JANS1N757A-1 | CDI-DIODE |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
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| JANS1N758A-1 | CDI-DIODE |
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DIODE 10 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diod |
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| JANS1N759A-1 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
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| JANS1N821 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| JANS1N821-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| JANS1N821-1(DO35) | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN |
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| JANS1N821-1-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| JANS1N821-1-2 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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