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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> JANS1N6641US
JANS1N6641US PDF预览

JANS1N6641US

更新时间： 2024-11-24 23:01:23
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
SWITCHING DIODES

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JANS1N6641US 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SURFACE MOUNT PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.18其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：O-XELF-R2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：2.5 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.3 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：235认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/609D最大反向电流：0.1 µA
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：20
Base Number Matches：1

JANS1N6641US 数据手册

 浏览型号JANS1N6641US的Datasheet PDF文件第2页 
1N6639US  
1N6640US  
1N6641US  
• 1N6639US THRU 1N6641US AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/609  
• SWITCHING DIODES  
• NON-CAVITY GLASS PACKAGE  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
Operating Current: 300 mA  
Derating: 4.6 mA/°C Above T  
Surge Current: IFSM = 2.5A, P = 8.3ms  
= + 110°C  
EC  
w
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN  
MAX  
2.16  
0.71  
4.95  
MIN MAX  
0.070 0.085  
0.019 0.028  
0.165 0.195  
0.003MIN.  
D
F
G
1.78  
0.48  
4.19  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise speci½ed.  
S
0.08MIN.  
V
V
I
I
T
T
C
BRR  
RWM  
R1  
R2  
FR  
F
RR  
T
= 0  
TYPES  
@ 10 µA  
@ T = +25°C @ T = +150°C  
I
I
I
= 10 mA  
= 10 mA  
= 100  
V
A
A
R
F
R
R
V
=
V
=
R
R
= 200 mA  
V
V
RWM  
RWM  
L
FIGURE 1  
V
V
nA dc  
µA dc  
ns  
ns  
pF  
(pk)  
(pk)  
1N6639US  
1N6640US  
1N6641US  
100  
75  
75  
75  
50  
50  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
10  
10  
10  
4.0  
4.0  
5.0  
2.5  
2.5  
3.0  
DESIGN DATA  
CASE: D-5D, Hermetically sealed glass  
case, per MIL-PRF- 19500/609  
FORWARD VOLTAGE:  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
V
I
F
F
@
TYPES  
VdC  
mA  
THERMAL RESISTANCE: (R  
50 °C/W maximum at L = 0  
):  
OJEC  
MIN  
MAX  
(PULSED)  
1N6639US  
–
1.20  
500  
0.54  
0.76  
0.82  
0.87  
0.62  
0.86  
0.92  
1.00  
1
50  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 25  
OJX  
1N6640US  
1N6641US  
100  
200  
POLARITY: Cathode end is banded  
–
1.10  
200  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) of this device is approximately  
+ 4PPM / °C. The COE of the Mounting  
Surface System should be selected to  
provide a suitable match with this  
device.  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (781) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
159  
12

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与JANS1N6641US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS1N6642 MICROSEMI

获取价格

 		COMPUTER SWITCHING DIODE
JANS1N6642 SENSITRON

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JANS1N6642U MICROSEMI

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JANS1N6642U SENSITRON

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